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XP Power VCB60 AC/DC-Netzteil, AUS 12V Dc / 5A 60W, EIN 90 → 305V Ac Offene Bauform

About The XP Power VCB60 AC/DC-Netzteil, AUS 12V dc / 5A 60W, EIN 90 → 305V ac Offene Bauform, Ausgangsspannung: 12V dc, Eingebettet: Nein, MPN: VCB60US12

XP Power VCB60 AC/DC-Netzteil, AUS 12V dc / 5A 60W, EIN 90 → 305V ac Offene Bauform, Ausgangsspannung: 12V dc, Eingebettet: Nein, MPN: VCB60US12

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Specifications of XP Power VCB60 AC/DC-Netzteil, AUS 12V Dc / 5A 60W, EIN 90 → 305V Ac Offene Bauform

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TRACOPOWER TEL 10WI DC/DC-Wandler 10W 24 V dc IN, 24V dc OUT / 416mA 1kV dc isoliert
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    • Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 200 mA 15V 8-Pin PDIP 30ns

    Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 200 mA 15V 8-Pin PDIP 30ns

    Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 200 mA 15V 8-Pin PDIP 30ns, MPN: ICL7667CPAZ.

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    • onsemi PowerTrench FDME1024NZT N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,8 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET dünn

    onsemi PowerTrench FDME1024NZT N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,8 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET dünn

    : 160 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.4V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.onsemi PowerTrench FDME1024NZT N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,8 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET dünn, Drain-Source-Widerstand max.6mm, Betriebstemperatur max.

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    • onsemi UltraFET FDMS2672 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 20 A 78 W, 8-Pin PQFN8

    onsemi UltraFET FDMS2672 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 20 A 78 W, 8-Pin PQFN8

    onsemi UltraFET FDMS2672 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 20 A 78 W, 8-Pin PQFN8, Drain-Source-Widerstand max.

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    onsemi UltraFET FDMS2672 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 20 A 78 W, 8-Pin PQFN8

    onsemi UltraFET FDMS2672 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 20 A 78 W, 8-Pin PQFN8, Drain-Source-Widerstand max.: 156 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.

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