ROHM HP8MA2 HP8MA2TB1 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 18 A, 15 A 7 W, 8-Pin HSOP8
About The 5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V, Gate-Schwellenspannung min
ROHM HP8MA2 HP8MA2TB1 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 18 A, 15 A 7 W, 8-Pin HSOP8, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 16,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V, Gate-Schwellenspannung min.: 1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM HP8MA2 HP8MA2TB1 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 18 A, 15 A 7 W, 8-Pin HSOP8
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Specifications of ROHM HP8MA2 HP8MA2TB1 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 18 A, 15 A 7 W, 8-Pin HSOP8 | |
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