Vishay SIR692DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 24,2 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Vishay SIR692DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 24,2 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 67 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SIR692DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 24,2 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Specifications of Vishay SIR692DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 24,2 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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