Infineon OptiMOS 5 BSC039N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON
About The : 5,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.1mm, Länge: 6
Infineon OptiMOS 5 BSC039N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 5,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 1.1mm, Länge: 6.1mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 5 BSC039N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON
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Specifications of Infineon OptiMOS 5 BSC039N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON | |
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