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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Passive Bauelemente
Induktivitäten
Drahtlose Ladespule
Wurth Elektronik

Wurth Elektronik Würth WE-WPCC Drahtlose Ladespule 11 μH 200mΩ 2.5A

About The 5mm, Länge: 34mm, Anschlussdurchmesser: 0.: -20°C, Montageart: Axial, Abmessungen: 34 x 26

Wurth Elektronik Würth WE-WPCC Drahtlose Ladespule 11 μH 200mΩ 2.5A, Kernmaterial: Ferrit, Betriebstemperatur max.: +105°C, Betriebstemperatur min.: -20°C, Montageart: Axial, Abmessungen: 34 x 26.5 x 0.89mm, Höhe: 26.5mm, Länge: 34mm, Anschlussdurchmesser: 0.56mm, MPN: 760308103205

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Wurth Elektronik Würth WE-WPCC Drahtlose Ladespule 11 μH 200mΩ 2.5A

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Specifications of Wurth Elektronik Würth WE-WPCC Drahtlose Ladespule 11 μH 200mΩ 2.5A

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Wurth Elektronik Würth WE-WPCC Drahtlose Ladespule 11 μH 200mΩ 2.5A
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Rating :- 9.22 /10
Votes :- 10
Panasonic, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 470μF ±20% / 35V dc, Ø 12.5mm x 13.5mm, bis 105°C
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Aluminium Elektrolytkondensatoren
  • Panasonic
    • Tesa 4964 Doppelseitiges Gewebeband, Weiß, 0°C bis +160°C, Stärke 0.39mm, 50mm x 50m

    Tesa 4964 Doppelseitiges Gewebeband, Weiß, 0°C bis +160°C, Stärke 0.39mm, 50mm x 50m

    39mm, 50mm x 50m, Haftfestigkeit: 7,5 N/cm, Zugfestigkeit: 80N/cm, MPN: 4964 50mx50mm.Tesa 4964 Doppelseitiges Gewebeband, Weiß, 0°C bis +160°C, Stärke 0.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Klebstoffe & Dichtmittel & Klebebänder
  • Klebebänder
  • Doppelseitige Klebebänder
  • Tesa
    • TE Connectivity CRGS Dickschicht SMD-Widerstand 560kΩ ±5% / 0.5W ≤±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity CRGS Dickschicht SMD-Widerstand 560kΩ ±5% / 0.5W ≤±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity CRGS Dickschicht SMD-Widerstand 560kΩ ±5% / 0.5W ≤±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +155°C, MPN: CRGS0805J560K.

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  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • TE Connectivity
    • onsemi BC858CLT1G SMD, PNP Transistor –30 V / –200 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin

    onsemi BC858CLT1G SMD, PNP Transistor –30 V / –200 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin

    01mm, Betriebstemperatur max.: 420, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 3.

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  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Bipolare Transistoren
  • onsemi
    • onsemi BC858CLT1G SMD, PNP Transistor –30 V / –200 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin

    onsemi BC858CLT1G SMD, PNP Transistor –30 V / –200 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin

    : 420, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 3.04 x 1.onsemi BC858CLT1G SMD, PNP Transistor –30 V / –200 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.4 x 1.

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