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Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 10 A, 3-Pin TO-220 FP

About The : 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPA65R125C7XKSA1.: 0,125 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 10 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,125 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPA65R125C7XKSA1

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Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 10 A, 3-Pin TO-220 FP

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Specifications of Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 10 A, 3-Pin TO-220 FP

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Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 27 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 27 A, 3-Pin DPAK (TO-252), MPN: IPD33CN10NGATMA1.

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    Siemens 3VA5 Leitungsschutzschalter, 3-polig 600A SENTRON DIN-Schienen-Montage, Polzahl: 3P, MPN: 3VA5160-5ED31-0AA0.

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    : 200, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.

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    5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPAN80R450P7XKSA1.Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.

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    Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPAN80R450P7XKSA1.

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