Onsemi PowerTrench FDG6316P P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 700 MA 300 MW, 6-Pin SOT-363
About The : –8 V, +8 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.onsemi PowerTrench FDG6316P P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 700 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max
onsemi PowerTrench FDG6316P P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 700 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 650 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi PowerTrench FDG6316P P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 700 MA 300 MW, 6-Pin SOT-363
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Onsemi PowerTrench FDG6316P P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 700 MA 300 MW, 6-Pin SOT-363 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
