Vishay EF SiHG186N60EF-GE3 N-Kanal MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin TO-247AC
About The : 0,168 Ω, Gate-Schwellenspannung max.Vishay EF SiHG186N60EF-GE3 N-Kanal MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max
Vishay EF SiHG186N60EF-GE3 N-Kanal MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 0,168 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3 → 5V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay EF SiHG186N60EF-GE3 N-Kanal MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin TO-247AC
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Specifications of Vishay EF SiHG186N60EF-GE3 N-Kanal MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin TO-247AC | |
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