Wurth Elektronik WE-TCI SMD Induktivität, 2,2 NH 440mA Mit Dünnschicht-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.1nH, 8GHz
About The 1nH, 8GHz, Tiefe: 0.32mm, Abmessungen: 1 x 0
Wurth Elektronik WE-TCI SMD Induktivität, 2,2 nH 440mA mit Dünnschicht-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.1nH, 8GHz, Tiefe: 0.5mm, Höhe: 0.32mm, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.32mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 300mΩ, Induktivitätsbauweise: Film, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: 744901022
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Wurth Elektronik WE-TCI SMD Induktivität, 2,2 NH 440mA Mit Dünnschicht-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.1nH, 8GHz
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Specifications of Wurth Elektronik WE-TCI SMD Induktivität, 2,2 NH 440mA Mit Dünnschicht-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.1nH, 8GHz | |
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