IXYS HiperFET, Q3-Class IXFB82N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 82 A 1,56 KW, 3-Pin PLUS264
About The : 75 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 20
IXYS HiperFET, Q3-Class IXFB82N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 82 A 1,56 kW, 3-Pin PLUS264, Drain-Source-Widerstand max.: 75 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 20.29mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Q3-Class IXFB82N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 82 A 1,56 KW, 3-Pin PLUS264
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Specifications of IXYS HiperFET, Q3-Class IXFB82N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 82 A 1,56 KW, 3-Pin PLUS264 | |
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