Vishay SiHG105N60EF SIHG105N60EF-GE3 N-Kanal MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 0,102 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V
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Vishay SiHG105N60EF SIHG105N60EF-GE3 N-Kanal MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin TO-247AC
Specifications of Vishay SiHG105N60EF SIHG105N60EF-GE3 N-Kanal MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin TO-247AC | |
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