Vishay SIHF530STRR-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14 A 88 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 160 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Vishay SIHF530STRR-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14 A 88 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Vishay SIHF530STRR-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14 A 88 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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