Infineon OptiMOS IPD15N06S2L64ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 19 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,064 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS IPD15N06S2L64ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 19 A, 3-Pin TO-252
Specifications of Infineon OptiMOS IPD15N06S2L64ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 19 A, 3-Pin TO-252 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |