Nexperia PSMN4R3-30PL,127 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin TO-220AB
About The : 4,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Nexperia PSMN4R3-30PL,127 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max
Nexperia PSMN4R3-30PL,127 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 4,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.15V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.3mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Nexperia PSMN4R3-30PL,127 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin TO-220AB
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Specifications of Nexperia PSMN4R3-30PL,127 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin TO-220AB | |
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