Infineon HEXFET AUIRF3004WL N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 386 A 375 W, 3-Pin TO-262WL
About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon HEXFET AUIRF3004WL N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 386 A 375 W, 3-Pin TO-262WL, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 11.3mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET AUIRF3004WL N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 386 A 375 W, 3-Pin TO-262WL
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Specifications of Infineon HEXFET AUIRF3004WL N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 386 A 375 W, 3-Pin TO-262WL | |
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