Infineon HEXFET IRFP2907PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 209 A 470 W, 3-Pin TO-247AC
About The : -20 V, +20 V, Länge: 15.Infineon HEXFET IRFP2907PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 209 A 470 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max
Infineon HEXFET IRFP2907PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 209 A 470 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.9mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFP2907PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 209 A 470 W, 3-Pin TO-247AC
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Specifications of Infineon HEXFET IRFP2907PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 209 A 470 W, 3-Pin TO-247AC | |
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