onsemi PowerTrench FDS6690A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 13 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm
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Onsemi PowerTrench FDS6690A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Onsemi PowerTrench FDS6690A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
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