Nexperia PMGD280UN,115 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 870 MA 400 MW, 6-Pin SOT-363
About The : 340 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0
Nexperia PMGD280UN,115 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 870 mA 400 mW, 6-Pin SOT-363, Gehäusegröße: SOT-363 (SC-88), Drain-Source-Widerstand max.: 340 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.45V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 1mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Nexperia PMGD280UN,115 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 870 MA 400 MW, 6-Pin SOT-363
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Specifications of Nexperia PMGD280UN,115 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 870 MA 400 MW, 6-Pin SOT-363 | |
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