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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 21 A, 8-Pin SO-8

About The : 2.35V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF7831TRPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 21 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0036 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF7831TRPBF

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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 21 A, 8-Pin SO-8

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 21 A, 8-Pin SO-8

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