Infineon HEXFET IRF100B202 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 97 A 221 W, 3-Pin TO-220
About The : -20 V, +20 V, Länge: 10.: 8,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon HEXFET IRF100B202 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 97 A 221 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 8,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRF100B202 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 97 A 221 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of Infineon HEXFET IRF100B202 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 97 A 221 W, 3-Pin TO-220 | |
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