ROHM R6076KNZ4 R6076KNZ4C13 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 76 A 735 W, 3-Pin TO-247
About The : 42 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 150 °C
ROHM R6076KNZ4 R6076KNZ4C13 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 76 A 735 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 42 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 16.24mm, Betriebstemperatur max.: 150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM R6076KNZ4 R6076KNZ4C13 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 76 A 735 W, 3-Pin TO-247
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Specifications of ROHM R6076KNZ4 R6076KNZ4C13 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 76 A 735 W, 3-Pin TO-247 | |
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