Onsemi FCP165N65S3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A 154 W, 3-Pin TO-220
About The 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 165 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
onsemi FCP165N65S3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A 154 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 165 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi FCP165N65S3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A 154 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of Onsemi FCP165N65S3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A 154 W, 3-Pin TO-220 | |
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