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Susumu Co RG Dünnschicht SMD-Widerstand 30kΩ ±0.1% / 0.125W ±25ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse

About The Susumu Co RG Dünnschicht SMD-Widerstand 30kΩ ±0.125W ±25ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min

Susumu Co RG Dünnschicht SMD-Widerstand 30kΩ ±0.1% / 0.125W ±25ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: RG1005P-303-B

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Susumu Co RG Dünnschicht SMD-Widerstand 30kΩ ±0.1% / 0.125W ±25ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse

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Specifications of Susumu Co RG Dünnschicht SMD-Widerstand 30kΩ ±0.1% / 0.125W ±25ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse

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Susumu Co RG Dünnschicht SMD-Widerstand 22kΩ ±0.1% / 0.125W ±25ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse

Susumu Co RG Dünnschicht SMD-Widerstand 22kΩ ±0.1% / 0.125W ±25ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse

125W ±25ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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    KEMET PME271 X2 Metallpapierkondensator 100nF ±20% / 250V ac, THT Raster 22.5mm, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 27mm, Tiefe: 12mm, Höhe: 22mm, Abmessungen: 27 x 12 x 22mm, Anschlussdurchmesser: 0.: +115°C, Betriebstemperatur min.

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    Vishay IRFBC30APBF N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,6 A 74 W, 3-Pin TO-220AB

    : 2,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: -30 V, +30 V, Länge: 10.

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    Vishay IRFBC30APBF N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,6 A 74 W, 3-Pin TO-220AB

    Vishay IRFBC30APBF N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,6 A 74 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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