Onsemi NTHS4101PG P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,7 A 2,5 W, 8-Pin ChipFET
About The onsemi NTHS4101PG P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,7 A 2,5 W, 8-Pin ChipFET, Drain-Source-Widerstand max.: 52 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
onsemi NTHS4101PG P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,7 A 2,5 W, 8-Pin ChipFET, Drain-Source-Widerstand max.: 52 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 1.1mm, Länge: 3.1mm, MPN: NTHS4101PT1G
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NTHS4101PG P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,7 A 2,5 W, 8-Pin ChipFET
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Specifications of Onsemi NTHS4101PG P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,7 A 2,5 W, 8-Pin ChipFET | |
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