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FAG Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 60mm / Außen-Ø 95mm, Breite 18mm Offene Bauweise

About The 5kN, Bohrung Typ: Parallel, Lager-Serie: 0 Extra leicht, Axiallager-Typ: Glatt, MPN: 6012.FAG Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 60mm / Außen-Ø 95mm, Breite 18mm Offene Bauweise, Lagerspiel: CN, Material: Stahl, Statische Traglast: 23

FAG Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 60mm / Außen-Ø 95mm, Breite 18mm Offene Bauweise, Lagerspiel: CN, Material: Stahl, Statische Traglast: 23.2kN, Dynamische Traglast: 31.5kN, Bohrung Typ: Parallel, Lager-Serie: 0 Extra leicht, Axiallager-Typ: Glatt, MPN: 6012

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Specifications of FAG Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 60mm / Außen-Ø 95mm, Breite 18mm Offene Bauweise

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WIKA A-10 G1/4 Drucksensor 0bar bis 10bar, Analog 4 → 20 mA, für Gas, Flüssigkeit

WIKA A-10 G1/4 Drucksensor 0bar bis 10bar, Analog 4 → 20 mA, für Gas, Flüssigkeit

WIKA A-10 G1/4 Drucksensor 0bar bis 10bar, Analog 4 → 20 mA, für Gas, Flüssigkeit, Genauigkeit: 0,5 %, Anschluss: DIN 175301-803 C, Reaktionszeit: .

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    • onsemi PowerTrench FDMB2308PZ P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 7 A 2,2 W, 800 mW, 6-Pin MicroFET 2 x 2

    onsemi PowerTrench FDMB2308PZ P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 7 A 2,2 W, 800 mW, 6-Pin MicroFET 2 x 2

    : 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.6V, Transistor-Konfiguration: Gemeinsamer Drain, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C.

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    • BACO Beschriftungsplatte für Serie L21AA01

    BACO Beschriftungsplatte für Serie L21AA01

    BACO Beschriftungsplatte für Serie L21AA01, MPN: LWP3.

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    • onsemi THT Diode, 600V / 30A, 2-Pin TO-220

    onsemi THT Diode, 600V / 30A, 2-Pin TO-220

    onsemi THT Diode, 600V / 30A, 2-Pin TO-220, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Soft Recovery, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 2.6V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 40ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 300A, MPN: FFP30S60STU.

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    • onsemi THT Diode, 600V / 30A, 2-Pin TO-220

    onsemi THT Diode, 600V / 30A, 2-Pin TO-220

    onsemi THT Diode, 600V / 30A, 2-Pin TO-220, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Soft Recovery, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 2.6V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 40ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 300A, MPN: FFP30S60STU.

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