ROHM RSD100N10 RSD100N10TL N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 20 W, 3-Pin SOT-428
About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 147 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
ROHM RSD100N10 RSD100N10TL N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 20 W, 3-Pin SOT-428, Drain-Source-Widerstand max.: 147 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM RSD100N10 RSD100N10TL N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 20 W, 3-Pin SOT-428
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of ROHM RSD100N10 RSD100N10TL N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 20 W, 3-Pin SOT-428 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
