Onsemi UltraFET FDMS5672 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10,6 A 2,5 W, 8-Pin MLP8
About The 75mm.onsemi UltraFET FDMS5672 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10,6 A 2,5 W, 8-Pin MLP8, Drain-Source-Widerstand max
onsemi UltraFET FDMS5672 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10,6 A 2,5 W, 8-Pin MLP8, Drain-Source-Widerstand max.: 12 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 0.75mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi UltraFET FDMS5672 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10,6 A 2,5 W, 8-Pin MLP8
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Specifications of Onsemi UltraFET FDMS5672 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10,6 A 2,5 W, 8-Pin MLP8 | |
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