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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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TE Connectivity STRATO-THERM Stoßverbinder, Ø 5.74mm X 14.4mm, 12 → 10 AWG

About The 4mm, 12 → 10 AWG, Kontaktmaterial: Nickel, Dicke: 0.74mm x 14

TE Connectivity STRATO-THERM Stoßverbinder, Ø 5.74mm x 14.4mm, 12 → 10 AWG, Kontaktmaterial: Nickel, Dicke: 0.99mm, MPN: 323696

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Specifications of TE Connectivity STRATO-THERM Stoßverbinder, Ø 5.74mm X 14.4mm, 12 → 10 AWG

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TE Connectivity STRATO-THERM Stoßverbinder, Ø 5.74mm X 14.4mm, 12 → 10 AWG
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Rating :- 9.32 /10
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RS PRO O-Ring Nitrilkautschuk, Innen-Ø 3mm / Außen-Ø 5.4mm, Stärke 1.2mm
  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Lager und Dichtungen
  • Dichtungen & Dichtungsmaterial
  • Dichtungen und O-Ringe
  • RS PRO
    • onsemi PowerTrench FDN327N N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

    onsemi PowerTrench FDN327N N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

    : 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.

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  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • onsemi
    • onsemi SuperFET FCB11N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    onsemi SuperFET FCB11N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : -30 V, +30 V, Länge: 10.onsemi SuperFET FCB11N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.67mm, Betriebstemperatur max.

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  • MOSFET
  • onsemi
    • onsemi SuperFET FCB20N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    onsemi SuperFET FCB20N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +150 °C.onsemi SuperFET FCB20N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.

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  • MOSFET
  • onsemi
    • onsemi SuperFET FCB20N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    onsemi SuperFET FCB20N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : +150 °C.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.

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