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ROHM RE1C001UN RE1C001UNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 MA 150 MW, 3-Pin SC-75

About The .: 18 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

ROHM RE1C001UN RE1C001UNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 mA 150 mW, 3-Pin SC-75, Gehäusegröße: SOT-416FL, Drain-Source-Widerstand max.: 18 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 0.8mm

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ROHM RE1C001UN RE1C001UNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 MA 150 MW, 3-Pin SC-75

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Specifications of ROHM RE1C001UN RE1C001UNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 MA 150 MW, 3-Pin SC-75

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