EPCOS SIMID SMD Induktivität, 47 μH 350mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 11MHz
About The 5 x 3.EPCOS SIMID SMD Induktivität, 47 μH 350mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4
EPCOS SIMID SMD Induktivität, 47 μH 350mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 11MHz, Tiefe: 3.2mm, Abmessungen: 4.5 x 3.2 x 3.2mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 1.35Ω, Induktivitätsbauweise: Ferritkern, MPN: B82432T1473K000
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität
EPCOS SIMID SMD Induktivität, 47 μH 350mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 11MHz
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Specifications of EPCOS SIMID SMD Induktivität, 47 μH 350mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 11MHz | |
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