STMicroelectronics MDmesh DM2 STW35N60DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 210 W, 3-Pin TO-247
About The : 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: +150 °C
STMicroelectronics MDmesh DM2 STW35N60DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 210 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 15.75mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics MDmesh DM2 STW35N60DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 210 W, 3-Pin TO-247
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Specifications of STMicroelectronics MDmesh DM2 STW35N60DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 210 W, 3-Pin TO-247 | |
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