Onsemi NTGS3443T1G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,2 A 2 W, 6-Pin TSOP-6
About The : +150 °C, Gate-Ladung typ.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
@ Vgs: 7,5 nC @ 4,5 V onsemi NTGS3443T1G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,2 A 2 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +12 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Gate-Ladung typ.
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NTGS3443T1G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,2 A 2 W, 6-Pin TSOP-6
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Specifications of Onsemi NTGS3443T1G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,2 A 2 W, 6-Pin TSOP-6 | |
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