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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Passive Bauelemente
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Induktivitäten bedrahtet
EPCOS

EPCOS B82725S Speicherdrossel Induktivität, Ferrit-Kern, 3,3 MH, ±30%, 10A, Radial / R-DC 13.5mΩ, Max. 10kHz X 37mm

About The 4mm, Tiefe: 20.

EPCOS B82725S Speicherdrossel Induktivität, Ferrit-Kern, 3,3 mH, ±30%, 10A, Radial / R-DC 13.5mΩ, max. 10kHz x 37mm, Länge: 40.4mm, Tiefe: 20.5mm, Abmessungen: 40.4 x 20.5 x 37mm, Anschlussraster: 22.86mm, Anschlussdurchmesser: 1.32mm, Betriebstemperatur max.: +60°C, MPN: B82725S2103N004

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EPCOS B82725S Speicherdrossel Induktivität, Ferrit-Kern, 3,3 MH, ±30%, 10A, Radial / R-DC 13.5mΩ, Max. 10kHz X 37mm

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Specifications of EPCOS B82725S Speicherdrossel Induktivität, Ferrit-Kern, 3,3 MH, ±30%, 10A, Radial / R-DC 13.5mΩ, Max. 10kHz X 37mm

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EPCOS B82725S Speicherdrossel Induktivität, Ferrit-Kern, 3,3 MH, ±30%, 10A, Radial / R-DC 13.5mΩ, Max. 10kHz X 37mm
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Samtec TSM Stiftleiste Horizontal, 4-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt

Samtec TSM Stiftleiste Horizontal, 4-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt

54mm, Nicht ummantelt, Montagetyp: SMD, MPN: TSM-104-01-T-SH-P-TR.

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    • Samtec TSM Stiftleiste Horizontal, 3-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt

    Samtec TSM Stiftleiste Horizontal, 3-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Nicht ummantelt

    54mm, Nicht ummantelt, Montagetyp: SMD, MPN: TSM-103-01-T-SH-TR.

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    DiodesZetex SMD Gleichrichter & Schottky-Diode, 60V, 3-Pin TO-252

    DiodesZetex SMD Gleichrichter & Schottky-Diode, 60V, 3-Pin TO-252, Gleichrichter-Typ: Avalance, Diode Typ: Rectifier, MPN: SBR1045CTLQ-13.

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    • Vishay IRFIB7N50APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 6,6 A 60 W, 3-Pin TO-220FP

    Vishay IRFIB7N50APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 6,6 A 60 W, 3-Pin TO-220FP

    Vishay IRFIB7N50APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 6,6 A 60 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: -30 V, +30 V, Betriebstemperatur max.: +150 °C.

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    • Vishay IRFIB7N50APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 6,6 A 60 W, 3-Pin TO-220FP

    Vishay IRFIB7N50APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 6,6 A 60 W, 3-Pin TO-220FP

    : 520 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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