Infineon OptiMOS BSL316CH6327XTSA1 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 (N-Kanal) V, –30 (P-Kanal) V / 1,4 A; 1,5 A
About The : 270 mΩ, 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon OptiMOS BSL316CH6327XTSA1 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 (N-Kanal) V, –30 (P-Kanal) V / 1,4 A; 1,5 A, Channel-Typ: N, P, Gehäusegröße: PG-TDSOP, Drain-Source-Widerstand max
Infineon OptiMOS BSL316CH6327XTSA1 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 (N-Kanal) V, –30 (P-Kanal) V / 1,4 A; 1,5 A, Channel-Typ: N, P, Gehäusegröße: PG-TDSOP, Drain-Source-Widerstand max.: 270 mΩ, 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Verlustleistung max.: 500 mW, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS BSL316CH6327XTSA1 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 (N-Kanal) V, –30 (P-Kanal) V / 1,4 A; 1,5 A
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Specifications of Infineon OptiMOS BSL316CH6327XTSA1 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 (N-Kanal) V, –30 (P-Kanal) V / 1,4 A; 1,5 A | |
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