Toshiba SSM3 SSM3K116TU(TE85L) N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2.2 A 800 mW, 3-Pin UFM, Drain-Source-Widerstand max.: 135 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Toshiba SSM3 SSM3K116TU(TE85L) N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2.2 A 800 MW, 3-Pin UFM
Specifications of Toshiba SSM3 SSM3K116TU(TE85L) N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2.2 A 800 MW, 3-Pin UFM | |
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