onsemi NTMYS8D0N04CTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 49 A 38 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 8,1 mO, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
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Onsemi NTMYS8D0N04CTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 49 A 38 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
Specifications of Onsemi NTMYS8D0N04CTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 49 A 38 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669 | |
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