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TE Connectivity RNF-100 Wärmeschrumpfschlauch, Polyolefin Vernetzt, Ø 25.4mm Schrumpfrate 2:1, Länge Set

About The TE Connectivity RNF-100 Wärmeschrumpfschlauch, Polyolefin vernetzt, Ø 25.4mm Schrumpfrate 2:1, Länge Set, Schrumpfdurchmesser: 12

TE Connectivity RNF-100 Wärmeschrumpfschlauch, Polyolefin vernetzt, Ø 25.4mm Schrumpfrate 2:1, Länge Set, Schrumpfdurchmesser: 12.7mm, Hülsen Typ: Wärmeschrumpfend, Kleberbeschichtet: Nein, Betriebstemperaturbereich: -55 →+135 °C, Flammhemmend: Ja, MPN: RNF-100-COL-KIT2

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TE Connectivity RNF-100 Wärmeschrumpfschlauch, Polyolefin Vernetzt, Ø 25.4mm Schrumpfrate 2:1, Länge Set

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Specifications of TE Connectivity RNF-100 Wärmeschrumpfschlauch, Polyolefin Vernetzt, Ø 25.4mm Schrumpfrate 2:1, Länge Set

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IKO Nippon Thompson Kohlenstoffstahl Kurvenrolle, Wellen-Ø 12mm x 20mm, 2070N

IKO Nippon Thompson Kohlenstoffstahl Kurvenrolle, Wellen-Ø 12mm x 20mm, 2070N

IKO Nippon Thompson Kohlenstoffstahl Kurvenrolle, Wellen-Ø 12mm x 20mm, 2070N, Typ: Standard-Käfig, Bohrungsgröße: 4mm, Statische Traglast: 1590N, MPN: CF 4 BUUR.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Lager und Dichtungen
  • Drehlager- und Gehäuseeinheiten
  • Nockenstößel
  • IKO Nippon Thompson
    • TDK NLCV-EF Drosselspule, 220 μH 80mA mit Ferrit-Kern, 3225 Gehäuse 3.2mm / ±10%

    TDK NLCV-EF Drosselspule, 220 μH 80mA mit Ferrit-Kern, 3225 Gehäuse 3.2mm / ±10%

    4Ω, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: 8.2mm, Gleichstromwiderstand max.: -40°C, MPN: NLCV32T-221K-EF.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Induktivitäten
  • SMD-Induktivität
  • TDK
    • Vishay IRFI730GPBF N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 3,7 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

    Vishay IRFI730GPBF N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 3,7 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

    : +150 °C.Vishay IRFI730GPBF N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 3,7 A 35 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Vishay
    • Vishay IRF9Z14PBF P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 6,7 A 43 W, 3-Pin TO-220AB

    Vishay IRF9Z14PBF P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 6,7 A 43 W, 3-Pin TO-220AB

    : +175 °C.41mm, Betriebstemperatur max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.

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  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Vishay
    • Vishay IRF9Z14PBF P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 6,7 A 43 W, 3-Pin TO-220AB

    Vishay IRF9Z14PBF P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 6,7 A 43 W, 3-Pin TO-220AB

    : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.

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  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
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