Renesas Electronics 256kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 32K, 8bit / Wort, 4,5 V Bis 5,5 V, PDIP-28 28-Pin
About The : 12ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: THT, Abmessungen: 34.Renesas Electronics 256kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 32K, 8bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, PDIP-28 28-Pin, Organisation: 32 K x 8, Zugriffszeit max
Renesas Electronics 256kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 32K, 8bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, PDIP-28 28-Pin, Organisation: 32 K x 8, Zugriffszeit max.: 12ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: THT, Abmessungen: 34.3 x 7.62 x 3.3mm, Länge: 34.3mm, Betriebstemperatur max.: +70 °C, MPN: 71256SA20TPG
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM
Renesas Electronics 256kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 32K, 8bit / Wort, 4,5 V Bis 5,5 V, PDIP-28 28-Pin
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Specifications of Renesas Electronics 256kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 32K, 8bit / Wort, 4,5 V Bis 5,5 V, PDIP-28 28-Pin | |
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