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Siemens Hilfsschütz 55E Für Schützsicherheitskomb. 5NO+5NC, DC-Bet. DC24V, 3TH4355-3BB4

About The 5NO+5NC, DC-Bet.Siemens Hilfsschütz 55E für Schützsicherheitskomb

Siemens Hilfsschütz 55E für Schützsicherheitskomb. DC24V, 3TH4355-3BB4, MPN: 3TH43553BB4 5NO+5NC, DC-Bet.

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Siemens Hilfsschütz 55E Für Schützsicherheitskomb. 5NO+5NC, DC-Bet. DC24V, 3TH4355-3BB4

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Specifications of Siemens Hilfsschütz 55E Für Schützsicherheitskomb. 5NO+5NC, DC-Bet. DC24V, 3TH4355-3BB4

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Siemens Hilfsschütz 55E Für Schützsicherheitskomb. 5NO+5NC, DC-Bet. DC24V, 3TH4355-3BB4
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KEMET R76_125C, AEC-Q200 Folienkondensator 390nF ±5% / 1 kV dc, 600 V ac, THT Raster 27.5mm

KEMET R76_125C, AEC-Q200 Folienkondensator 390nF ±5% / 1 kV dc, 600 V ac, THT Raster 27.5mm

5mm, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 32mm, Tiefe: 18mm, Anschlusslänge: 25mm, Äquivalenter Serienwiderstand: 16mΩ, Höhe: 33mm, Abmessungen: 32 x 18 x 33mm, Dielektrikum: Polypropylen, Anschlussklemmentyp: Lot, MPN: R76QR339050H3J.

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    • Analog Devices 12 bit-Bit-Bit Direkt Digital-Synthesizer AD9915BCPZ, 2.5Gsps, LFCSP VQ 88-Pin
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    • Vishay Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOD-123 2-Pin Siliziumverbindung 1V

    Vishay Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOD-123 2-Pin Siliziumverbindung 1V

    85mm, Breite: 1.Vishay Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOD-123 2-Pin Siliziumverbindung 1V, Betriebstemperatur min.

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    • TE Connectivity CRGH Dickschicht SMD-Widerstand 3.9kΩ ±5% / 2W ±200ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse

    TE Connectivity CRGH Dickschicht SMD-Widerstand 3.9kΩ ±5% / 2W ±200ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse

    TE Connectivity CRGH Dickschicht SMD-Widerstand 3.9kΩ ±5% / 2W ±200ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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    • TE Connectivity CRGH Dickschicht SMD-Widerstand 3.9kΩ ±5% / 2W ±200ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse

    TE Connectivity CRGH Dickschicht SMD-Widerstand 3.9kΩ ±5% / 2W ±200ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse

    : +155°C, MPN: CRGH2512J3K9.9kΩ ±5% / 2W ±200ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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