Infineon SIPMOS BSS84PWH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 MA 300 MW, 3-Pin SOT-323
About The : +150 °C.: 25 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon SIPMOS BSS84PWH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 mA 300 mW, 3-Pin SOT-323, Drain-Source-Widerstand max.: 25 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon SIPMOS BSS84PWH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 MA 300 MW, 3-Pin SOT-323
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Specifications of Infineon SIPMOS BSS84PWH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 MA 300 MW, 3-Pin SOT-323 | |
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