Nexperia PMXB120EPEZ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,4 A 8,33 W, 4-Pin DFN1010D-3, SOT1215, Drain-Source-Widerstand max.: 187 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: -1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 1.15mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Nexperia PMXB120EPEZ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,4 A 8,33 W, 4-Pin DFN1010D-3, SOT1215
Specifications of Nexperia PMXB120EPEZ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,4 A 8,33 W, 4-Pin DFN1010D-3, SOT1215 | |
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