Renesas Electronics HFA3127BZ SMD, NPN Transistor Pent 8 V / 65 MA 8000 MHz, SOIC 16-Pin
About The : +125 °C.: 12 V, Basis-Emitter Spannung max
Renesas Electronics HFA3127BZ SMD, NPN Transistor Pent 8 V / 65 mA 8000 MHz, SOIC 16-Pin, Verlustleistung max.: 150 mW, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Basis-Spannung max.: 12 V, Basis-Emitter Spannung max.: 5,5 V, Abmessungen: 1.5 x 10 x 4mm, Betriebstemperatur max.: +125 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Renesas Electronics HFA3127BZ SMD, NPN Transistor Pent 8 V / 65 MA 8000 MHz, SOIC 16-Pin
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Specifications of Renesas Electronics HFA3127BZ SMD, NPN Transistor Pent 8 V / 65 MA 8000 MHz, SOIC 16-Pin | |
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