Onsemi NTB095N65S3HF N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 36 A 272 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The 3V.: 5V, Gate-Schwellenspannung min
onsemi NTB095N65S3HF N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 36 A 272 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 95 m Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NTB095N65S3HF N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 36 A 272 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Onsemi NTB095N65S3HF N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 36 A 272 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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