Vishay TrenchFET SI4946BEY-T1-E3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,052 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V
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Vishay TrenchFET SI4946BEY-T1-E3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A, 8-Pin SO-8
Specifications of Vishay TrenchFET SI4946BEY-T1-E3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A, 8-Pin SO-8 | |
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