OSI Optoelectronics DL Fotodiode 670nm Si, THT TO8-Gehäuse 3-Pin, Verstärkerfunktion: Nein, Fallzeit typ.: 0.08µs, Höhe über Panel: 5.59mm, Durchmesser: 15.24mm, Spitzenphotosensibilität: 0.4A/W, Polarität: Umgekehrt, MPN: PIN DL-4
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OSI Optoelectronics DL Fotodiode 670nm Si, THT TO8-Gehäuse 3-Pin
Specifications of OSI Optoelectronics DL Fotodiode 670nm Si, THT TO8-Gehäuse 3-Pin | |
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