Infineon 600V CoolMOS™ CE IPA60R1K0CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,8 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 1 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon 600V CoolMOS™ CE IPA60R1K0CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,8 A, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Infineon 600V CoolMOS™ CE IPA60R1K0CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,8 A, 3-Pin TO-220 FP | |
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