STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STN1HNK60 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 400 mA 3,3 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 8,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.25V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STN1HNK60 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 400 MA 3,3 W, 3-Pin SOT-223
Specifications of STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STN1HNK60 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 400 MA 3,3 W, 3-Pin SOT-223 | |
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