IXYS HiperFET, Q-Class IXFR64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 45 A 500 W, 3-Pin ISOPLUS247
About The : +150 °C.13mm, Betriebstemperatur max
IXYS HiperFET, Q-Class IXFR64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 45 A 500 W, 3-Pin ISOPLUS247, Drain-Source-Widerstand max.: 94 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Q-Class IXFR64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 45 A 500 W, 3-Pin ISOPLUS247
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Specifications of IXYS HiperFET, Q-Class IXFR64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 45 A 500 W, 3-Pin ISOPLUS247 | |
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