Infineon OptiMOS 3 BSB028N06NN3GXUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 78 W, 7-Pin MG-WDSON-2
About The : -20 V, +20 V, Länge: 6.: 2,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Infineon OptiMOS 3 BSB028N06NN3GXUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 78 W, 7-Pin MG-WDSON-2, Drain-Source-Widerstand max.: 2,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.35mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 3 BSB028N06NN3GXUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 78 W, 7-Pin MG-WDSON-2
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Specifications of Infineon OptiMOS 3 BSB028N06NN3GXUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 78 W, 7-Pin MG-WDSON-2 | |
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