IXYS HiperFET, Q3-Class IXFN32N100Q3 N-Kanal, Schraub MOSFET 1000 V / 28 A 780 W, 4-Pin SOT-227
About The : 320 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: +150 °C
IXYS HiperFET, Q3-Class IXFN32N100Q3 N-Kanal, Schraub MOSFET 1000 V / 28 A 780 W, 4-Pin SOT-227, Montage-Typ: Schraubmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 320 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 38.23mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Q3-Class IXFN32N100Q3 N-Kanal, Schraub MOSFET 1000 V / 28 A 780 W, 4-Pin SOT-227
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Specifications of IXYS HiperFET, Q3-Class IXFN32N100Q3 N-Kanal, Schraub MOSFET 1000 V / 28 A 780 W, 4-Pin SOT-227 | |
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